存储工艺平台
更高带宽、更低功耗、更小占用空间、更高存储密度
采用混合键合技术，提供存储产品
未来进一步开发base die+SRAM+DRAM+RRAM 定制化存储芯片
和3D DRAM
突破平面集成的物理极限
在垂直方向上增加存储单元，在不依赖于单纯的平面缩小的情况下提高存储密度
提高集成度
在相同的芯片面积上实现更多的存储单元
更高的带宽
提供比DDR更高的传输
更低的功耗
存储短距离连接，降低功耗
更小的占用空间
采用垂直堆叠，减少了PCB上占用空间
存储
工艺
应对成本挑战
虽然3D DRAM 的初始研发和生产成本较高，但从长远来看，通过提高存储密度和性能，有可能降低每比特的成本
应用广泛，场景丰富
可广泛应用于COW算力、服务器、自动驾驶等行业
COW算力
服务器
自动驾驶
工业应用
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高带宽存储发展方向，采用HB工艺，解决存储堆叠高度的技术难题
提供base die+SRAM+DRAM+RRAM 定制化存储芯片
